技術

SilvoFlash™ 技術概論

SilvoFlash™ 是英文Single low voltage Flash 的縮寫。

SilvoFlash™ 指的是“單低電壓快閃記憶體”，它利用 NOR Flash 技術的優勢，採用浮柵結構，實現了真正的單低電壓快閃記憶體運行。

SilvoFlash™ 是程式碼儲存和參數設定的理想解決方案，在設計時充分考慮了功耗、成本、儲存密度和晶片尺寸，以滿足客戶的需求。



SilvoFlash™ 技術優勢：

• 超低電壓 (Vdd)

- 讀取單元電流僅需單低電壓

• 超低功耗

- 待機模式下功耗低

- 讀取模式下功耗低（讀取時僅需 Vdd，無電荷泵電路）

- PG/ER 模式下功耗低（Marco IP 中最大電壓為 7V）

• 高可靠性和資料保持能力

 - 耐久性 > 100K

 - 資料保持能力 > 10 85°C下可穩定工作多年

• 邏輯相容，可擴展至28nm工藝

- SilvoFlash™製程位於邏輯元件之前，易於嵌入式製造。

 - FG-FG間距由地電源屏蔽，無交叉耦合問題。

• 經濟高效

 - 位單元和巨集單元尺寸小

 - 嵌入式快閃記憶體中掩模層數更少

• 系統尺寸小

 SilvoFlash™技術使MCU能夠在0.9V~1.65V、1.35V~1.65V、1.6V~3.6V等寬Vdd範圍內工作。

因此，SilvoFlash™有助於減少LDO和被動元件（電阻、電容、二極體等）的使用，從而降低功耗和系統尺寸。

此外，SilvoFlash™的低Vdd特性使MCU能夠使用單節紐扣電池或AAA電池在0.9V~1.65V電壓下工作，從而縮小系統尺寸，實現更優雅緊湊的產品設計。