2025年1月22日eEEPROM“PASS”200K PG/ER,Vdd=1.2VIOTMemory 的 110nm SilvoFE 1.5V 5V 平台 eEEPROM 宏 IP 可以在高溫下通過 200K 次 PG/ER 循環,單次低 Vdd=1.2V。閱讀更多