2025年1月22日

eEEPROM“PASS”200K PG/ER，Vdd=1.2V

IOTMemory 的 110nm SilvoFE 1.5V 5V 平台 eEEPROM 宏 IP 可以在高溫下通過 200K 次 PG/ER 循環，單次低 Vdd=1.2V。

IOTMemory 的 110nm SilvoFE 1.5V 5V 平台 eEEPROM Macro IP 可以在高溫下，以單電壓 Vdd=1.2V，通過 200K 次 PG/ER 循環，。