技術

SilvoFE II™ 技術概述

SilvoFE II™ 是英文Single low voltage Flash + EEPROM II 的縮寫。

指的是“單低電壓快閃記憶體+EEPROM”，它是第二代 SilvoFE™ 技術，採用單一製程即可支援 eFlash 和 eEEPROM 功能。

此技術僅需基於邏輯製程平台只需額外4~6層光罩，而BCD 製程只需額外 4 層光罩。

SilvoFE II™ 技術優勢：

• 低成本

- 採用先進的單元結構，位元單元尺寸小

- 僅需 4~6 層掩模

- 可自訂嵌入式Flash和EEPROM

• 低電壓 (Vdd)

- 巨集電路IP 中的最大電壓為 12V，而非 15V

- 真正的 5V 邏輯平台元件

• 真正的 EEPROM

- 陣列中的位元組 PG/ER 操作

- 高耐久性 > 100K 次 PG/ER 循環

- 高數據保持性 > 20 年（85°C）