應用

SilvoFlashᵀᴹ 技術支援 MCU 廣泛電壓範圍運作

目前市面上最主流的低功耗 MCU 可在 Vdd = 1.6V ~ 3.6V 範圍內運作，而其處理器與 SRAM 通常在 1.2V 下運作。然而，現有商用 embedded Flash技術在寫入 / 擦除模式下需使用 10V ~ 12V 的操作電壓，並要求輸入電壓 (Vdd) 至少為 1.8V 或 3.3V。因此，嵌入式 Flash 成為 MCU 降低 Vdd 至 1.6V 以下的瓶頸。

IOTMemory 的 SilvoFlashᵀᴹ 解決方案僅需 Vdd = 1.2V ±10% (甚至可低至 0.9V ±10%) ，非常適合用作 MCU 的 embedded ，並可支援 MCU 在 Vdd = 1.6V ~ 3.6V 或 1.1V ~ 3.6V 範圍內運作，以達到低功耗目的。此外，IOTMemory 的 standalone 與 embedded Flash解決方案可設計成與 MCU 相同的電壓等級，進而減少 LDO (低壓差穩壓器) 與被動元件，如電阻、電容與二極體等。

SilvoFlashᵀᴹ 使 MCU 支援寬範圍 Vdd

目前市面上最受歡迎的低功耗 MCU 可在寬範圍 Vdd=1.6V~3.6V 下運作，且處理器/SRAM 以 1.2V 運行。然而，現有的商用嵌入式 Flash 解決方案在程式編寫/擦除模式下需使用 10V~12V，且輸入電壓 (Vdd) 需為 1.8V 或 3.3V。因此，現有的嵌入式 Flash 解決方案成為降低 MCU Vdd 至 1.6V 以下的瓶頸。

IOTMemory 的 SilvoFlashᵀᴹ 解決方案僅需 Vdd=1.2V+10%（甚至可低至 0.9V+10%），適合用作 MCU 的嵌入式 Flash，並支援 MCU 在寬電壓範圍 Vdd=1.6V~3.6V 或 1.1V~3.6V 下運作，以達到低功耗，如下圖所示。此外，IOTMemory 的獨立式及嵌入式 Flash 解決方案可設計成與 MCU 相同電壓等級，以減少 LDO 及被動元件（如電阻器、電容器和二極體）的使用。

採用0.13微米製程的ARM Cortex-M0（32位元）微控制器：節能40%

* 微控制器輸入電壓範圍寬廣 Vdd = 1.6V~3.6V，

* 頻率 = 12 MHz，

* RAM = 128kb，eFlash = 1Mb

CPU以無限迴圈運行以評估功耗



SilvoFlashᵀᴹ 使微控制器能夠使用單顆鈕扣電池或AAA電池

如今，市場上1.5V電池價格低廉且隨處可得。因此，一些微控制器（MCU）供應商投入大量精力降低輸入電壓（Vdd），以便使用單顆1.5V鈕扣電池或一顆AAA電池運行。然而，目前商用的eFlash工作電壓仍高於1.8V，導致低Vdd MCU出現紅燈警示。如果eFlash的Vdd能降低至1.2V，也能將MCU的Vdd降至1.2V。如此一來，MCU即可由單顆鈕扣電池驅動，並且有助於縮小尺寸，提升效益，，降低成本並減少功耗。

IOTMemory 最新創新產品 SilvoFlashTM 採用 3D 分割閘極結構，以提升讀取、程式設計及擦除的記憶體效能，從而優化 MCU 的效率。SilvoFlashTM 在讀取模式下僅需 1.2V（低功耗，LP）或 0.9V（超低功耗，ULP），在程式設計/擦除模式下最高電壓為 7V。因此，MCU 可設計為寬電壓範圍 Vdd=1.1V~3.6V，能夠使用單顆鈕扣電池、AA 或 AAA 電池運作，詳見下方圖表。