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SilvoFlashᵀᴹ 技术支持 MCU 广泛电压范围运作

目前市面上最主流的低功耗 MCU 可在 Vdd = 1.6V ~ 3.6V 范围内运作，而其处理器与 SRAM 通常在 1.2V 下运作。然而，现有商用 embedded Flash技术在写入 / 擦除模式下需使用 10V ~ 12V 的操作电压，并要求输入电压 (Vdd) 至少为 1.8V 或 3.3V。因此，嵌入式 Flash 成为 MCU 降低 Vdd 至 1.6V 以下的瓶颈。

IOTMemory 的 SilvoFlashᵀᴹ 解决方案仅需 Vdd = 1.2V ±10% (甚至可低至 0.9V ±10%) ，非常适合用作 MCU 的 embedded ，并可支持 MCU 在 Vdd = 1.6V ~ 3.6V 或 1.1V ~ 3.6V 范围内运作，以达到低功耗目的。此外，IOTMemory 的 standalone 与 embedded Flash解决方案可设计成与 MCU 相同的电压等级，进而减少 LDO (低压差稳压器) 与被动组件，如电阻、电容与二极管等。

SilvoFlashᵀᴹ 使 MCU 支持宽范围 Vdd

目前市面上最受欢迎的低功耗 MCU 可在宽范围 Vdd=1.6V~3.6V 下运作，且处理器/SRAM 以 1.2V 运行。然而，现有的商用嵌入式 Flash 解决方案在程序编写/擦除模式下需使用 10V~12V，且输入电压 (Vdd) 需为 1.8V 或 3.3V。因此，现有的嵌入式 Flash 解决方案成为降低 MCU Vdd 至 1.6V 以下的瓶颈。

IOTMemory 的 SilvoFlashᵀᴹ 解决方案仅需 Vdd=1.2V+10%（甚至可低至 0.9V+10%），适合用作 MCU 的嵌入式 Flash，并支持 MCU 在宽电压范围 Vdd=1.6V~3.6V 或 1.1V~3.6V 下运作，以达到低功耗，如下图所示。此外，IOTMemory 的独立式及嵌入式 Flash 解决方案可设计成与 MCU 相同电压等级，以减少 LDO 及被动组件（如电阻器、电容器和二极管）的使用。

采用0.13微米制程的ARM Cortex-M0（32位）微控制器：节能40%

* 微控制器输入电压范围宽广 Vdd = 1.6V~3.6V，

* 频率 = 12 MHz，

* RAM = 128kb，eFlash = 1Mb

CPU以无限循环运行以评估功耗

SilvoFlashᵀᴹ 使微控制器能够使用单颗钮扣电池或AAA电池

如今，市场上1.5V电池价格低廉且随处可得。因此，一些微控制器（MCU）供货商投入大量精力降低输入电压（Vdd），以便使用单颗1.5V钮扣电池或一颗AAA电池运行。然而，目前商用的eFlash工作电压仍高于1.8V，导致低Vdd MCU出现红灯警示。如果eFlash的Vdd能降低至1.2V，也能将MCU的Vdd降至1.2V。如此一来，MCU即可由单颗钮扣电池驱动，并且有助于缩小尺寸，提升效益，，降低成本并减少功耗。

IOTMemory 最新创新产品 SilvoFlashTM 采用 3D 分割闸极结构，以提升读取、程序设计及擦除的内存效能，从而优化 MCU 的效率。SilvoFlashTM 在读取模式下仅需 1.2V（低功耗，LP）或 0.9V（超低功耗，ULP），在程序设计/擦除模式下最高电压为 7V。因此，MCU 可设计为宽电压范围 Vdd=1.1V~3.6V，能够使用单颗钮扣电池、AA 或 AAA 电池运作，详见下方图表。