技术

SilvoFEᵀᴹ 技术

返回首页

SilvoFE™ 技术概述


SilvoFE™ 是英文Single low voltage Flash + EEPROM的缩写。


SilvoFE™ 指的是“单芯片低电压快闪记忆体(eFlash)和eEEPROM”,它采用先进的非易失性存储器 (NVM) 单元,通过单一制程即可同时支持 eFlash 和 eEEPROM 功能。


SilvoFE™ 技术优势:


• 低成本

- 采用先进的单元结构,位单元尺寸小

- 更少的掩模层

- 可定制嵌入式系统和 ROM 的 Marco IP


• 低电压 (Vdd)

- 巨集电路 IP 中的最大电压为 12V,而非 15V

- 真正的 5V 逻辑平台器件


• 真正的 EEPROM

- 阵列中的字节 PG/ER 操作

- 高耐久性 > 100K 次 PG/ER 循环

- 高数据保持性 > 20 年(85°C)