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2025年1月22日

eEEPROM“PASS”200K PG/ER,Vdd=1.2V

IOTMemory 的 110nm SilvoFE 1.5V 5V 平台 eEEPROM 宏 IP 可以在高温下通过 200K 次 PG/ER 循环,单次低 Vdd=1.2V。

IOTMemory 的 110nm SilvoFE 1.5V 5V 平台 eEEPROM 宏 IP 可以在高温下通过 200K 次 PG/ER 循环,单次低 Vdd=1.2V。